IGBT транзисторы

Артикул
2010024534
347,44 руб. от 1 шт.
FGH80N60FDTU
Тип: FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 80А, 290Вт (=SGH80N60UFTU), [TO-247]
Производитель: ONSemiconductor
Доставка 1-2 недели

Артикул
2010059067
632,46 руб. от 1 шт.
FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT, 1200 В, 64 А
Тип: FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264]
Производитель: ONSemiconductor
Доставка 1-2 недели

Артикул
2010053461
1 287,51 руб. от 1 шт.
FGL60N100BNTD
Тип: FGL60N100BNTD, Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, [TO-264-3]
Производитель: ONSemiconductor
Доставка 1-2 недели

Артикул
2011915127
790,58 руб. от 1 шт.

Артикул
2010078571
168,14 руб. от 1 шт.

Артикул
2012236400
113,57 руб. от 1 шт.

Артикул
2010075546
160,88 руб. от 1 шт.

Артикул
2010031481
202,32 руб. от 1 шт.

Артикул
2010075222
166,96 руб. от 1 шт.
FGW50N60HD
Тип: FGW50N60HD, IGBT транзистор тразистор 600В 50А 360Вт TO-247
Производитель: FUJI
Доставка 3-5 дней
В наличии 44 шт

Артикул
2013043563
350,63 руб. от 1 шт.
FGY75N60SMD
Тип: FGY75N60SMD, Транзистор, Field Stop IGBT 600В 75А [Power TO247 / TO-247D03]
Производитель: ONSemiconductor
Доставка 1-2 недели

Артикул
2010053689
1 219,75 руб. от 1 шт.

Артикул
2010123758
514,67 руб. от 1 шт.

Артикул
2010020743
84,25 руб. от 1 шт.

Артикул
2010992841
186,81 руб. от 1 шт.

Артикул
2010022110
326,02 руб. от 1 шт.

Артикул
2010065861
401,30 руб. от 1 шт.

Артикул
2010031485
159,03 руб. от 1 шт.

Артикул
2010069674
667,44 руб. от 1 шт.
GT50JR22(STA1,E,S)
Тип: GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]
Производитель: Toshiba
Доставка 1-2 недели

Артикул
2011632111
361,40 руб. от 1 шт.
GT60N321
Тип: GT60N321, TO-264, форм. выводы под 90 град. Параметры: Vces=900В. Проверено
Производитель: Toshiba
Доставка 5 рабочих дней

Артикул
2010021626
557,58 руб. от 1 шт.